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LED行業(yè),RGB燈珠有什么優(yōu)勢(shì)!

時(shí)間:2021-08-29 22:30??來(lái)源:未知??作者:admin??點(diǎn)擊:
白光LED 與 RGB LED 兩者殊途同歸,都是希望達(dá)到白光的效果, 只不過(guò)一個(gè)是直接以白光呈現(xiàn),另一個(gè)則是以紅綠藍(lán)三色混光而成。RGB燈是以三原色共同交集成像,此外,也有藍(lán)光LED配合黃色熒光 粉,以及紫外LED配合RGB熒光粉,整體來(lái)說(shuō),這兩種都有其成像原理。某些LED背光板出現(xiàn)的顏色特別清楚而鮮艷,甚至有高畫質(zhì)電視的程度,這種情形,正是RGB的特色,標(biāo)榜紅就是紅、 綠就是綠、藍(lán)就是藍(lán)的特性,在光的混色上,具備更多元的特性。東莞藍(lán)晉光電廠家專業(yè)生產(chǎn)全彩RGB燈珠,主營(yíng)1206全彩RGB 1010全彩RGB 020側(cè)發(fā)光RGB等全彩LED燈珠。

RGB的衰減問(wèn)題與紫外線對(duì)人體影響,都是短期內(nèi)比較難解決的問(wèn)題,因此雖然都可以達(dá) 到白光的需求,卻有不同的結(jié)果。RGB在應(yīng)用上,明顯比白光LED來(lái)得多元,如車燈、交通號(hào)志、櫥窗等,需要用到某一波段的燈光時(shí),RGB的混色可以隨心所欲,相較之下,白光LED就比較吃虧,因此當(dāng)然在效果上比較強(qiáng)。白光LED在清晰度與色純度都明顯遜于RGB,此外,光衰減的問(wèn)題,晶圓造價(jià)貴,都使RGB燈變得更有優(yōu)勢(shì)。選擇好的全彩LED燈珠優(yōu)選藍(lán)晉光電廠家,專業(yè)生產(chǎn)1206全彩RGB 1010全彩RGB 020側(cè)發(fā)光RGB等燈珠。
 
在RGB分開時(shí)單獨(dú)控制,雖然可以直接控制,混色也不錯(cuò),但是要達(dá)到混的白光相當(dāng)純正是一大問(wèn)題,雖然造價(jià)貴,但相對(duì)來(lái)說(shuō)質(zhì)量也比較好,至于 白光LED燈來(lái)說(shuō),雖然造價(jià)便宜,可以直接取代CCFL,成為L(zhǎng)ED的主要技術(shù),但是相對(duì)來(lái)說(shuō),因?yàn)椴ㄩL(zhǎng)頻率的問(wèn)題而封裝在一起,這樣散射出來(lái)的情況也會(huì) 不穩(wěn)定。
 
RGB燈在控制上的問(wèn)題仍有待加強(qiáng),舉例來(lái)說(shuō),如果其中一顆燈壞了,在整個(gè)屏幕上會(huì)相當(dāng)明顯,反之,白光LED燈則可以互相補(bǔ)足,因?yàn)槭桥陨潢P(guān)系,因此可以補(bǔ)足某顆壞掉的LED,并且均勻性的補(bǔ)足,讓整體狀況看起來(lái)不會(huì)太差。

PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定勢(shì)壘,當(dāng)加正向偏置電壓時(shí)勢(shì)壘下降,P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子向?qū)Ψ綌U(kuò)散。由于電子遷移率比空穴遷移率大得多,所以會(huì)出現(xiàn)大量電子向P區(qū)擴(kuò)散,構(gòu)成對(duì)P區(qū)少數(shù)載流子的注入。這些電子與價(jià)帶上的空穴復(fù)合,復(fù)合時(shí)得到的能量以光能的形式釋放出去。這就是PN結(jié)發(fā)光的原理。

一般稱為組件的外部量子效率,其為組件的內(nèi)部量子效率與組件的取出效率的乘積。所謂組件的內(nèi)部量子效率,其實(shí)就是組件本身的電光轉(zhuǎn)換效率,主要與組件本身的特性(如組件材料的能帶、缺陷、雜質(zhì))、組件的壘晶組成及結(jié)構(gòu)等相關(guān)。而組件的取出效率則指的是組件內(nèi)部產(chǎn)生的光子,在經(jīng)過(guò)組件本身的吸收、折射、反射后,實(shí)際在組件外部可測(cè)量到的光子數(shù)目。因此,關(guān)于取出效率的因素包括了組件材料本身的吸收、組件的幾何結(jié)構(gòu)、組件及封裝材料的折射率差及組件結(jié)構(gòu)的散射特性等。而組件的內(nèi)部量子效率與組件的取出效率的乘積,就是整個(gè)組件的發(fā)光效果,也就是組件的外部量子效率。早期組件發(fā)展集中在提高其內(nèi)部量子效率,主要方法是通過(guò)提高壘晶的質(zhì)量及改變壘晶的結(jié)構(gòu),使電能不易轉(zhuǎn)換成熱能,進(jìn)而間接提高LED的發(fā)光效率,從而可獲得70%左右的理論內(nèi)部量子效率,但是這樣的內(nèi)部量子效率幾乎已經(jīng)接近理論上的極限。在這樣的狀況下,光靠提高組件的內(nèi)部量子效率是不可能提高組件的總光量的,因此提高組件的取出效率便成為重要的研究課題。方法主要是:晶粒外型的改變——TIP結(jié)構(gòu),表面粗化技術(shù)。


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